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PD-94661
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装( SMD- 0.5 )
产品概述
产品编号辐射水平
IRHNJ597Z30 100K拉德(SI )
IRHNJ593Z30 300K拉德(SI )
R
DS ( ON)
0.07
0.07
I
D
-22A*
-22A*
IRHNJ597Z30
30V , P- CHANNEL
5

技术
SMD-0.5
国际整流器公司R5
TM
技术提供
高性能功率MOSFET,用于空间应用程序
阳离子。这些装置已被表征为
单粒子效应( SEE)用业绩
高达80 (兆电子伏/ (毫克/平方厘米的LET
2
))。组合
中低R
DS ( ON)
和低门电荷降低功耗
在开关应用中,例如DC到DC损失
转换器和电机控制。这些设备保留
所有已确立的MOSFET的优点
例如电压控制,快速开关,便于paral-的
电参的乐陵和温度稳定性
ETERS 。
产品特点:
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应( SEE )
超低低R
DS ( ON)
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -12V , TC = 25°C
ID @ VGS = -12V , TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
-22*
-18
-88
75
0.6
±20
152
-22
7.5
-1.57
-55到150
300 ( 5秒)
1.0 (典型值)
预辐照
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
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01/07/05
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