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AT91SAM7XC256 / 128初步
GPNVM位0被用作掉电检测使能位。设置GPNVM0将使能
BOD，清除它禁止BOD 。拉高ERASE将清除GPNVM位0 ，从而
禁止掉电检测器在默认情况下。
在GPNVM位1被用作掉电复位使能信号复位控制器。环境
在GPNVM位1可以检测到掉电时，掉电复位，清除
GPNVM位1禁止掉电复位。拉高ERASE将禁止通过复位掉电
默认情况下。
9.4.6
校准位
8个NVM位用于标定掉电检测器和电压调节器。这些位
在出厂配置，并且不能由用户改变。 ERASE引脚对无影响
校准位。
9.5
快速Flash编程接口
快速Flash编程接口允许通过串行编程器
JTAG接口或实现了全握手的并行端口。这样就可以通过编程
明与市场标准的工业编程。
支持读取FFPI ，页编程，页擦除，全片擦除，锁定，解锁和保护
命令。
快速Flash编程接口使能且快速编程模式进入
当TST引脚和PA0和PA1引脚都连接到高电平。
9.6
SAM -BA启动助手
在SAM -BA启动助手是一个默认的引导程序，提供编程IN-一个简单的方法
就地片上闪存。
在SAM -BA启动助手支持通过DBGU或USB设备的串行通信
端口。
通过DBGU通信支持多种晶体的3至通过20 MHz的
软件自动检测。
通过USB设备端口的通信被限制在一个18.432 MHz的晶振。
在SAM -BA启动提供了SAM -BA图形用户界面（ GUI ）的接口。
在SAM -BA启动是在ROM中，并映射在Flash地址0x0当GPNVM位2
设置为0 。
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6209AS–ATARM–20-Oct-05
