初步数据表
NPN硅外延晶体管晶体管
UPA827TF
特点
高增益，低工作电流：
|S
21E
|
2
= 9 dB典型值，在f = 2 GHz时， V
CE
= 2 V ， LC = 7毫安
|S
21E
|
2
= 8.5 dB典型值，在f = 2 GHz时， V
CE
= 1 V ， LC = 5毫安
小型封装形式：
在2毫米×1.25毫米× 0.6毫米包2 NE686芯片
无铅
外形尺寸
（以毫米单位）
封装外形TS06 （顶视图）
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
0.65
2.0
±
0.2
1.3
1
6
0.22
- 0.05
（所有引线）
+0.10
2
5
3
4
描述
该UPA827TF有两个内置低电压晶体管哪些
低噪声放大，在VHF到UHF设计
乐队。这两个管芯从上相邻的位置选择
晶圆。这些功能结合引脚配置
使该器件非常适用于平衡或镜像应用。
此装置适用于低电压/低电流，低噪声
应用程序，和它的高F
T
使它成为一个很好的选择
便携式无线应用。更薄的封装形式
允许更高密度的设计。
0.6
±
0.1
0.45
0.13
±
0.05
0 ~ 0.1
引脚连接
1.收集器（ Q1 ）
2.发射器（ Q1 ）
3.收集器（ Q2 ）
4.基地（ Q2 ）
5.发射器（ Q2 ）
6.基地（ Q1 ）
注意：
引脚1是下最左边的引脚
包刻字是面向
并从左向右读。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
f
T
CRE
|S
21E
|
2
|S
21E
|
2
NF
NF
h
FE1/
h
FE2
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流增益
1
在V
CE
= 2 V，I
C
= 7毫安
增益带宽（ 1）在V
CE
= 2 V，I
C
= 7 mA时， F = 2 GHz的
增益带宽（ 2）在V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
反馈
电容
2
在V
CB
= 2 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
插入功率增益（ 1 ）在V
CE
= 2 V，I
C
= 7 mA时， F = 2 GHz的
插入功率增益（ 2 ）在V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
噪声图（1）在V
CE
= 2 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
噪声图（2）在V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
h
FE
比，V
CE
= 2 V，I
c
= 7毫安
h
FE1
=小
FE
Q1和Q2之间的价值
h
FE2
= 较大
FE
Q1和Q2之间的价值
注意事项： 1，脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
μs,
占空比
≤
2 %.
当用电容表（自动平衡电桥法） ，与实测2.集电极基极电容
发射极连接到守护的电容计销。
GHz的
GHz的
pF
dB
dB
dB
dB
0.85
7.5
7
单位
μA
μA
70
10
8.5
13
12
0.4
9
8.5
1.5
1.5
1.0
2
2
0.6
民
UPA827TF
TS06
典型值
最大
0.1
0.1
140
CaliforniaEasternLaboratories
