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22
读周期
T1
PHI
T2
TW
T3
T1
写周期
T2
TW
T3
A0
A19
D0
D7
等待
MREQ
RD
WR
读数据
写数据
图12 。
内存读/写(有等待)时序图
I / O读/写时序
I / O读/写操作的存储器读/写操作的不同
以下三种方法:
该IORQ ( I / O请求)信号被确认的MREQ低而不
信号
在16位的I / O地址没有被MMU变换
A16 - A19保持低
至少有一个等待状态( TW )总是插入I / O读写
周期(除内部I / O周期) 。
图13示出I / O读/写定时的自动插入
等待状态( TW ) 。
UM005001-ZMP0400

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