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7MBP75TEA120
IGBT -IPM
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR （兆焦耳/周期）
开关损耗与集电极电流（典型值）。
Edc=600V,Vcc=15V,Tj=25
°
C
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR （兆焦耳/周期）
35
30
25
宙
20
15
10
5
ERR
0
0
25
50
75
100
125
EOFF
开关损耗与集电极电流（典型值）。
Edc=600V,Vcc=15V,Tj=125°C
35
30
25
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
ERR
EOFF
宙
集电极电流： IC （A）
已经RS编编偏见SA FE OPE RA婷再一
VCC = 15 V ， Tj< = 1 25 ° C（米）。
700
集电极电流： IC （A）
瞬态千卡人电阻（最大）
热水库istance ： Rth的（J -C ） （ ° C / W）
600
1
FW
500
ollecto curre NT ： IC （ A）
400
S CSO一
（非重复脉冲）
IGBT
300
0.1
200
100
BSO一
（R EPE titive PULS五）
0
0
20 0
400
60 0
800
1 00 0
1200
140 0
0.01
0.001
0.01
0.1
1
欧莱构造函数-Emitte 电压： V CE （ V）
脉冲瓦特ID ：密码（秒）
功率降额的IGBT （最大）
（每设备）
500
捕集器功耗：PC （ W）
捕集器功耗：PC （ W）
250
功率降额的FWD （最大）
（每设备）
400
200
300
150
200
100
100
50
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
外壳温度：TC （ ℃）
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
外壳温度：TC （ ℃）
