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应用电路的12例
応用回路例
VCCU
+5V
HCPL
4504
0.1uF
20kΩ
VCCU
+
10uF
GNDU
U
V
W
P
“H“で
U相IGBT½
GNDU
+5V
HCPL
4504
0.1uF
20kΩ
+
10uF
P
“H“で
U相IGBT½
R
R
V
0
2
C
A
C +
U
V
VCCV
W
V
0
2
C
A
C +
20kΩ
VCCV
20kΩ
0.1uF
+
10uF
B
N
“H“で
V相IGBT½
0.1uF
+
10uF
B
N
“H“で
V相IGBT½
GNDv
GNDv
VccW
20kΩ
0.1uF
VccW
+
10uF
“H“で
W相IGBT½
20kΩ
0.1uF
+
10uF
“H“で
W相IGBT½
GNDW
GNDW
VCC
20kΩ
0.1uF
+
10uF
IPM
“H“で
X相IGBT½
VCC
20kΩ
0.1uF
+
10uF
IPM
“H“で
X相IGBT½
GND
GND
0.1uF的20kΩ的
0.1uF的20kΩ的
“H“で
Y相IGBT½
“H“で
Y相IGBT½
0.1uF的20kΩ的
0.1uF的20kΩ的
“H“で
Z相IGBT½
“H“で
Z相IGBT½
0.1uF的20kΩ的
0.1uF的20kΩ的
“H“で
DB_IGBT½
“H“で
DB_IGBT½
TLP521
TLP521
( a)如果使用高边报警
  上アームアラーム½用の場合
( b)在案件没有用的高端警报
  上アームアラーム不½用の場合
13.包装和标识梱包仕様
请参阅该包装规格IPM的MT6M4140 。
IPM梱包仕様书
MT6M4140を御参照ください。
14.注意事项储存和运输保管,运搬上の注意
存储模块在正常的温度和湿度( 5至35℃ , 4575 %)。
常温常湿(5½35℃、45½75%)で保存して下さい。
避免环境温度的突然变化,以防止冷凝模块上
表面。
モジュールの表面が結露しないよう、急激な温度変化を避けて下さい。
避免地方腐蚀性气体或产生的灰尘存在。
腐食性ガスの発生場所、粉塵の多い場所は避けて下さい。
未经处理的存储条件下,模块的终端
モジュールの端子は未加工の状態で保管すること。.
避免物理撞击或运输过程中下降。
運搬時に衝撃を与えたり½下させないで下さい。
15. Scope of application 適用囲
本说明书中被施加到IGBT -IPM (类型: 7MBP25TEA120 ) 。
本仕様书は, IGBT , IPM
(型式:7MBP25TEA120)に適用する。
16.基于安全标准准拠安全规格
UL1557
MS6M 00765
14
23
a
H04-004-03a

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