830系列
调谐特性在T
AMB
= 25°C
部分
电容（pF）
V
R
= 2V ， F = 1MHz的
分钟。
7.38
7.79
9.0
9.5
13.5
14.25
19.8
20.9
29.7
31.35
42.3
44.65
61.2
64.6
90.0
95.0
喃。
8.2
8.2
10.0
10.0
15.0
15.0
22.0
22.0
33.0
33.0
47.0
47.0
68.0
68.0
100.0
100.0
马克斯。
9.02
8.61
11.0
10.5
16.5
15.75
24.2
23.1
36.3
34.65
51.7
49.35
74.8
71.4
110.0
105.0
闵Q
V
R
= 3V
F = 50MHz的
250
250
300
300
300
300
200
200
200
200
200
200
100
100
100
100
电容比
C
2
/ C
20
@ F = 1MHz的
分钟。
马克斯。
4.3
5.8
4.3
5.8
4.5
6.0
4.5
6.0
4.5
6.0
4.5
6.0
5.0
6.5
5.0
6.5
5.0
6.5
5.0
6.5
5.0
6.5
5.0
6.5
5.0
6.5
5.0
6.5
5.0
6.5
5.0
6.5
829A
829B
830A
830B
831A
831B
832A
832B
833A
833B
834A
834B
835A
835B
836A
836B
绝对最大额定值
参数
正向电流
在T功耗
AMB
= 25°C SOT23
在T功耗
AMB
= 25°C SOD323
在T功耗
AMB
= 25°C SOD523
工作和存储温度范围
符号
I
F
P
合计
P
合计
P
合计
马克斯。
200
330
330
250
-55到+150
单位
mA
mW
mW
mW
°C
在T电气特性
AMB
= 25°C
Paramater
反向击穿电压
反向电压漏
温度COEF网络cient
电容
条件
I
R
= 10 A
V
R
= 20V
V
R
= 3V ， F = 1MHz的
分钟。
25
典型值。
0.2
300
马克斯。
20
400
单位
V
nA
PPCM /°C的
第11期 - 2007年1月
捷特科PLC 2007
3
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