位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第230页 > APT30M17JLL_04 > APT30M17JLL_04 PDF资料 > APT30M17JLL_04 PDF资料1第3页
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
连接点
TEMP 。 （ ° C）
遥控模型
350
VGS = 15 & 10V
300
250
200
150
100
6.5V
50
0
8V
APT30M17JLL
0.0268
0.0456F
7.5V
动力
（瓦特）
0.109
0.765F
7V
0.0426
外壳温度。 （ ° C）
23.5F
6V
5.5V
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
400
I
D
，漏极电流（安培）
350
300
250
200
150
100
50
0
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
V
GS
归一
= 10V @ 67.5A
1.30
1.20
1.10
VGS=10V
1.00
VGS=20V
0.90
0.80
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
0
140
120
100
80
60
40
20
0
25
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
50
100
150
200
250
300
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
I
D
，漏极电流（安培）
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
2.5
I
D
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
= 67.5A
V
GS
= 10V
2.0
1.5
1.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7157修订版A
4-2004
