添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第6页 > RA07H4047M_06 > RA07H4047M_06 PDF资料 > RA07H4047M_06 PDF资料1第1页
三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA07H4047M
框图
2
3
符合RoHS标准, 400-470MHZ
7W 12.5V , 2级放大器。用于便携式无线电
描述
该RA07H4047M是一个7瓦的射频MOSFET放大器模块
12.5伏的工作在400-到470 - MHz的便携式收音机
范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压(V
GG
= 0V)时,只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出
功率和漏电流增加,作为栅电压的增加。
周围2.5V (最低) ,输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
在3V (典型值)和3.5V (最大)变为可用。在
V
GG
= 3.5V ,典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制,但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>7W @ V
DD
=12.5V, V
GG
= 3.5V ,P
in
=20mW
η
T
>40 %@ P
OUT
= 7W (V
GG
控制) ,V
DD
= 12.5V ,P
in
=20mW
宽带频率范围: 400-470MHZ
低功耗控制电流I
GG
= 1mA(典型值),在V
GG
=3.5V
模块尺寸: 30 ×10× 5.4毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入(P
in
)
栅极电压(V
GG
) ,功率控制
漏极电压(V
DD
) ,电池
RF输出(P
OUT
)
射频接地(CASE )
封装代码: H46S
符合RoHS
RA07H4047M - 101是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS标准由地段后面的字母“G”表示
标记。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往,它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中,电子部件的玻璃,以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息:
订单号
RA07H4047M-101
供货形式
防静电托盘,
25模块/托盘
RA07H4047M
三菱电机
1/8
2006年1月24日
首页
上一页
1
共8页

深圳市碧威特网络技术有限公司