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ST7L15 ， ST7L19
数据EEPROM
（续）
5.3存储器访问
数据EEPROM存储器读/写访问
模式由EEP-的E2LAT位控制
ROM控制/状态寄存器（ EECSR ） 。该液流 -
图表
图6
介绍了这些不同的内存
访问模式。
读操作（ E2LAT = 0 ）
该EEPROM可以理解为正常的ROM某些地区可能
化时EECSR寄存器的E2LAT位
清除。
在此装置中，数据的EEPROM ，也可用于
执行的机器代码。不要写入数据
EEPROM ，而从它执行。这将重新
SULT在一个意想不到的代码被执行。
写操作（ E2LAT = 1 ）
访问写入模式下， E2LAT位必须
通过软件设置（在E2PGM位保持清零） 。
当写访问EEPROM面积发生，
的值被锁存内的32个数据锁存器AC-
盘带到它的地址。
当PGM位由软件设置，所有的previ-
写入数据锁存器（最多32个）的OU字节是
在EEPROM单元进行编程。有效
高地址（行）是由最后EEP-确定
ROM写入序列。为了避免错误的编程
明时，用户必须确保所有的字节令状
10间两种编程序列具有
同样的高地址：只有五个最具有重要意义的
地址着性位可以改变。
在编程周期中，铂族金属的端部和
LAT位同时清零。
注意：
护理应在编程过程中采取
明周期。写入到同一个存储单元
过度的程序内存（逻辑之间
这两个写访问的数据结果） ，因为
数据锁存器被清零只在亲的结束
编程周期和通过的下降沿
E2LAT位。
这是不可能读取锁存数据。
本说明由示
图8第16页。
图6.数据EEPROM编程流程
读取模式
E2LAT = 0
E2PGM = 0
写模式
E2LAT = 1
E2PGM = 0
读取的字节
在EEPROM中区
最多可以写入32个字节
在EEPROM中区
（与地址的同一11 MSB）
开始编程周期
E2LAT = 1
E2PGM = 1 （由软件设定）
0
由硬件清零
E2LAT
1
14/138
1
