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CY62167EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害其使用寿命
该设备。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在.............................. -0.3V至3.9V （V
CC
（最大） + 0.3V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[6, 7]
.............. -0.3V至3.9V （V
CC
（最大） + 0.3V
直流输入电压
[6, 7]
.......... -0.3V至3.9V （V
CC
（最大） + 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ....... >200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
V
CC
[8]
CY62167EV30LL工业-40 ° C至+ 85°C 2.2V至3.6V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
测试条件
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
I
IX
I
OZ
I
CC
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC
（最大）
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
对于FBGA封装
对于TSOP封装我
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–0.3
–1
–1
25
2.2
1.5
45纳秒
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
V
CC
+ 0.3V
0.6
0.8
0.7
[9]
+1
+1
30
4.0
12
典型值
[5]
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
I
SB1
自动CE掉电CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
目前， CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ） ，V
CC
= 3.60V
自动CE掉电CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
目前， CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
I
SB2[10]
1.5
12
A
电容
[11]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
6. V
IL
（分钟） = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
8.全面的设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
9.在直流条件下的设备满足V
IL
的0.8V 。然而，在动态条件输入低电压施加到该装置必须不大于0.7V 。这
仅适用于TSOP余包。
10.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
） ，字节使能（BHE和BLE）和字节需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他的输入可以是
悬空。
11.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05446牧师* C
第13 3
[+ ]反馈
