初步W79E217A数据表

JMP $

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*重新编程APFlashB APFlash中银行

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PROGRAM_APFlashROM ：

MOV R2 ， ＃ 00H

;目标低字节地址

MOV R1 ， ＃ 00H

;目标地址的高字节

MOV DPTR ， ＃ 0H

MOV SFRAH ， R1

; SFRAH ，目标高地址

MOV SFRCN ， ＃ 21H

; SFRCN = 21H ，程序APFlash0

; SFRCN = A1H ，节目APFlash1

MOV R6 ， ＃ 9CH

;设定时器进行编程，大约50

μ

S.

MOV R7 ， #FFH

MOV TL0 ， R6

MOV TH0 ， R7

PROG_D_APFlash ：

MOV SFRAL ， R2

; SFRAL =低字节地址

CALL GET_BYTE_FROM_PC_TO_ACC

;这个方案是根据用户的

电路。

MOV @ DPTR ，A

;保存数据到SRAM中，以验证码。

MOV SFRFD ，A

;在SFRFD =数据

MOV TCON ， ＃ 10H

; TCON = 10H ， TR0 = 1 ， GO

MOV PCON ， ＃ 01H

;进入空闲模式（ PRORGAMMING ）

INC DPTR

INC R2

CJNE R2 ， ＃ 0H ， PROG_D_APFlash

INC R1

MOV SFRAH ， R1

CJNE R1 ， ＃ 0H ， PROG_D_APFlash

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; *验证APFlashB APFlash中银行

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MOV R4 ， ＃ 03H

;错误计数器

MOV R6 ， #FDH

;设定时器进行读验证，约1.5

μ

S.

MOV R7 ， #FFH

MOV TL0 ， R6

MOV TH0 ， R7

MOV DPTR ， ＃ 0H

;示例代码的起始地址

MOV R2 ， ＃ 0H

;目标低字节地址

出版日期： 2007年12月14日

修订A3.0

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