内部设计信息
VV6501
10
10.1
内部设计信息
基本支持电路
图37 ：基本支持电路
10uF
1V8
5V0
PDVREG1V8
3V3
10uF
6.8nF
2.2uF
在一个合适的选择
双极晶体管将是一个
ZTX749 。它满足
技术规范和
是非常符合成本效益。
5
6
PORB
3V3
暂停
8
9
7
4
3
2
1
36
35
34
33
32
31
N / C
N / C
视频
VV6501
30
29
28
27
2K2
26
25
24
AUDOUTN
AUDREF
100nF
AUDOUTP
470nF
2.2uF
100nF
1uF
11
4K7
SDA
SCL
4K7
13
CLKIN
14
15
16
17
18
19
20
12
数字
21
音频
22
D3
D2
10
23
FST
D1
意法半导体公司建议使用接地星点的。所有
去耦电容应尽量靠近传感器
可能。
上面列出的支持电路描述一个基于USB
系统具有标称5V供给装置。
10.2
晶体管的选择
该ZTX749具有高的分
FE
（低级片上的电流） 。它也是便宜的，并具有良好的耐热
耗散。
10.3
引脚1和形象定位
请注意，传感器阵列，以产生正确对准图像，销1应设
在'顶'的'底部'旋转，而不是180度（见
图3）。
58/60
QCLK
D0
D4
