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EM640FP16系列
低功耗， 256Kx16 SRAM
写周期时序波形（ 3 ） （ UB ， LB控制）
t
WC
地址
t
CW
(2)
CS1
t
WR
(4)
CS2
t
AW
t
BW
UB ， LB
t
AS
(3)
WE
t
DW
DATA IN
数据输出
高-Z
数据有效
t
WP
(1)
t
DH
高-Z
笔记
（写周期）
1.在重叠（ T A写操作
WP
）低CS
1
低WE 。写开始时CS1为低和WE
变低，有主张UB或LB单字节操作或同时主张UB和LB双
字节操作。在最早转型当CS写结束
1
变高和WE为高电平。经t
WP
is
从写入的开始写的末端测量。
2. t
CW
是从CS测量
1
变低，结束写入。
3. t
AS
从地址有效到写的开始测量的。
4. t
WR
从端或写入地址变化进行测定。吨
WR
在适用的情况下写入结束的CS
1
或者我们要高。
8
