W19B320BT / B数据表
8.12备用#CE控制擦除和编程操作
70纳秒
参数
写周期时间（注1 ）
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
阅读恢复时间写之前（ #OE到高
#WE低）
#WE建立时间
#WE保持时间
#CE脉冲宽度
#CE脉冲宽高
编程时间（注6 ）
加速编程时间
（注6 ）
扇区擦除时间（注2 ）
芯片擦除时间（注2 ）
芯片编程时间（注5 ）
注意事项：
1.不100 ％测试。
2.在嵌入式擦除算法的预编程步骤，所有字节擦除之前为00h 。
3.典型的编程和擦除时间承担下列条件： 25 ℃ ， 3.0 VV
DD
， 100,000次.Additionally ，
编程标准结构假设棋盘图案。
90 ℃ ，V 4.在最坏的情况下
DD
= 2.7V ， 10万次。
5.典型的芯片编程时间比上市最高可芯片编程的时间要少得多，因为大多数
字节的程序的速度比最高纲领次上市。
6.系统级开销是要执行的两个或四个总线周期序列的程序指令所需要的时间。
7.该器件具有10万次的最小擦除和编程周期耐力。
符号。
T
WC
T
AS
T
AH
T
DS
T
DH
T
GHEL
T
WS
T
WH
T
CP
T
CPH
字节
字
字节
字
T
PB
T
PW
T
ACCP
T
SE
T
CE
字节
字
T
CPB
T
CPW
分钟。
70
0
45
35
0
0
0
0
30
30
-
-
-
-
-
-
-
典型
(Note3)
马克斯。
(Note4)
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
μs
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
9
4
0.4
30
21
14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
210
120
15
-
63
42
- 44 -
出版日期： 12月25日， 2007年
Revisionv A3
