ZVN4306AV
典型特征
12
11
7V
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻
()
V
GS =
20V 12V 10V 9V 8V
V
GS
=3V
10
3.5V
5V 6V
I
D
- 漏电流（安培）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
6V
1.0
5V
8V
10V
4V
3.5V
3V
10
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏源
电压（伏）
I
D-
漏电流
（安培）
饱和特性
导通电阻V漏极电流
2.6
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50 -25
e
eR
rc
ou
-S
艾因
Dr
R
D
ce
an
t
SIS
)
on
S(
g
fs
-Transconductance （S）
V
GS =
10V
I
D=
3A
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
DS =
10V
V
GS =
V
DS
I
D=
1mA
栅极阈值电压V
GS （ TH）
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225
T
j
-Junction温度（℃ ）
I
D（上）
- 漏电流（安培）
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
V温度
跨导V漏电流
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
500
400
300
200
100
0
0
10
20
30
40
50
C
国际空间站
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
D=
3A
V
DD
=
20V
40V
60V
C-电容（pF ）
C
OSS
C
RSS
60
70
80
9
10 11 12
V
DS
- 漏源极电压（伏特）
Q-费（ NC ）
电容V漏源电压
栅极电荷V栅源电压
