应用注释AN36
Issue1 - 2002年7月
MOSFET功率晶体管
功率MOSFET器件正变得
越来越受欢迎，因为就在
ZXBM200x提供了一个很好的方法
驱动电机三相绕组。图9
和10示出的方法
驱动器电路。
在活动所产生的主要区别
钳位电路在图10中，就是需要一
二极管串联的有源钳位齐纳
二极管。这可以防止齐纳被向前
偏置，从而从门减损
当MOSFET导通驱动。在
有源钳位电路，也没有必要
任何漏极到源极负电压
保护，因为这将被实现
MOSFET的固有体二极管。
当使用MOSFET器件是一个
额定电压和妥协
MOSFET的RDS （ ON）具有较高的
额定电压产生较高的RDS（on ） 。
这样做的目的因此应该总是使用该
最低额定电压，以满足应用程序
因为这将给予最低全速的RDS（on ）
相关损耗。它的缺点是
将有一个稍高耗散
使用有源钳位时，因为这将是
努力工作，以保持较低的电压
当风扇在接近运行到全速。
图9
MOSFET输出驱动级
最新一代的N沟道沟槽
从Zetex的MOSFET，提供合适的
与ZXMN6A11G和解决方案
ZXMN10A11G ， 60V和100V器件
分别已在使用
应用描述。
电源反向保护
对于一个越来越普遍的要求
现代系统是组件和
模块有一定程度的逆向供应
保护。这尤其是对于
汽车应用。为了实现这一点一
电源隔离二极管，需要在风扇
电子产品。
从最佳性能
ZXBM200x设备最好是提供
单独的二极管，用于在设备和
缠绕用品。这示于全
应用电路在图17的主
原因在于，具有阻止所述
反向路径为电源
开关电流，高电压可以是
经历在卷绕高端。这
能量表现为过度的电压
而这些都必须远离
该器件的电源。
图10
MOSFET输出驱动级采用有源钳位。
在图9 & 10的组件具有非常
类似的地形，以使双极驱动器
以再次两个变体，其中一个直接
齐纳钳位和第二具有活性
夹紧。
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