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正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
200
1000
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 9.1Ω
正向电流IF [ A]
150
Tj=25
o
C
Tj=125
o
C
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
100
100
trr(125
o
C)
trr(25
o
C)
Irr(125
o
C)
Irr(25
o
C)
50
0
0
1
2
3
正向电压： VF [ V]
4
10
0
50
100
正向电流IF [ A]
150
[热敏电阻]
瞬态热阻抗（最大）
1.00
100.0
FWD
IGBT
温度特性（典型值）。
热阻： Rth的（J -C ）
o
C / W]
电阻值：R [ kΩ的]
0.010
0.100
脉冲宽度：密码[秒]
1.000
10.0
0.10
1.0
0.01
0.001
0.1
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
温度
o
C ]
MS5F6014
11
13
H04-004-03a
