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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MW6IC2015N
第2版，第2/2007
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW6IC2015N宽带集成电路被设计用于基站
应用程序。它采用飞思卡尔最新的高压（ 26 32伏特） LDMOS
IC技术，并集成了多 - 级结构。其宽带上 - 芯片
设计使得它可以使用1805至1990年兆赫。线性演出
覆盖所有调制制式蜂窝应用： GSM ， GSM EDGE ， PHS ，
TDMA，CDMA ，W - CDMA和TD - SCDMA 。
最终的应用
典型的两个 - 音频性能： V
DD
= 26伏，我
DQ1
= 100毫安，我
DQ2
=
170毫安，P
OUT
= 15瓦PEP ，全频波段（ 1805至1880年MHz或
1930年 - 1990兆赫）
功率增益 - 26分贝
功率附加效率 - 28 ％
IMD - - 30 dBc的
驱动器应用
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 26伏，我
DQ1
= 130 mA时，我
DQ2
=
170毫安，P
OUT
= 3瓦的魅力，全频波段（ 1805 - 1880 MHz或
1930年 - 1990兆赫）
功率增益 - 27分贝
功率附加效率 - 19 ％
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 69 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 78 dBc的
EVM - 0.8 ％ RMS
能够处理3 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电，1990兆赫， 15瓦CW
输出功率
稳定到一个3:1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 100毫瓦至8 W CW
P
OUT
.
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的来源散射参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞， >5欧姆输出）
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
集成ESD保护
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
200℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米500台， 13英寸的卷轴
MW6IC2015NBR1
MW6IC2015GNBR1
1805年至1990年兆赫， 15 W， 26 V
GSM / GSM EDGE，CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
CASE 1329至1309年
TO - 272 WB - 16
塑料
MW6IC2015NBR1
CASE 1329A - 03
TO - 272 WB - 16 GULL
塑料
MW6IC2015GNBR1
V
DS1
RF
in
RF
OUT
/V
DS2
GND
V
DS1
NC
NC
NC
RF
in
NC
V
GS1
V
GS2
NC
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
16
15
GND
NC
14
RF
OUT
/
V
DS2
V
GS1
V
GS2
静态电流
温度补偿
13
12
NC
GND
（ TOP VIEW ）
注：背面裸露的标志是源
终端晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
飞思卡尔半导体公司， 2007。保留所有权利。
MW6IC2015NBR1 MW6IC2015GNBR1
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RF设备数据
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