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7.14自动预充电命令
如果A10设置为高的读或写命令发出时，则自动预充电功能
输入。在自动预充电，一个读命令将执行正常的不同之处在于将
有效的银行将开始所有的突发读取周期已经完成前自动预充电。
无论突发长度时，它将开始一定数目的时钟在预定的的端
爆循环。的时钟数是由CAS执行时间来确定。
读或写命令自动预充电不能将整个前一阵被打断
操作完成。因此，使用读，写，或在预充电命令禁止
一个读或写周期，自动预充电。一旦预充电操作已经开始，银行不能
被重新激活，直到预充电时间（t
RP
）已得到满足。问题自动预充电命令是
非法的，如果突发设置为整页篇幅。如果A10为高电平时，写命令发出后，写
具有自动预充电功能被启动。在SDRAM自动进入预充电操作
两个时钟延迟从最后一个脉冲串写周期。此延迟被称为写入吨
WR
。银行
进行自动预充电不能被重新激活，直到吨
WR
和T
RP
是满意的。这被称为
t
DAL
，数据到主动延迟（T
DAL
= t
WR
+ t
RP
） 。当使用自动预充电命令，时间间隔
世行激活命令和内部预充电操作必须开始之间
满足t
RAS
（最小值） 。
7.15预充电命令
预充电命令用于预充电或关闭的银行已被激活。该
预充电指令被输入时，
CS
,
RAS
和
WE
低，而且
CAS
高在上升
在时钟的边缘。在预充电命令可以用来单独地或全部预充电每个存储体
银行同时进行。地址位A10，和BA ，用来定义该组（或多个）被
发出命令时，预充电。在发出预充电命令之后，所述预充电
一个新的读或写访问可以被执行之前，银行必须重新激活。之间的延迟
预充电命令与激活命令必须大于或等于所述预充电时间
(t
RP
).
7.16自刷新命令
自刷新命令被定义为
CS
,
RAS
,
CAS
和CKE保持低配
WE
高在时钟的上升沿。所有银行都必须是之前发布的自刷新命令闲置。
一旦命令被注册， CKE必须保持低电平以保持设备的自刷新模式。
当SDRAM进入自刷新模式中，所有的外部控制信号，除了CKE ，是
禁用。时钟是在自刷新操作在内部禁用，以节省电力。该设备将
CKE后退出自刷新操作返回高。可随后发出的任何命令
吨后
RC
从自刷新命令的末尾。
如果，在正常操作期间，自动刷新周期中的脉冲串发出的（而不是被均匀地
分布式） ，一阵4,096自动刷新周期应在进入，只是刚好前完成
后退出自刷新模式。
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出版日期： 2007年8月23日
修订A3
