ZXTBM322
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
8
90
115
190
210
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
200
300
200
100
100
0.98
0.88
400
450
360
180
140
23
170
400
30
兆赫
pF
ns
ns
分钟。
40
20
7.5
典型值。
100
27
8.2
25
25
25
15
150
135
250
270
1.05
0.95
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=100 A
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=32V
V
EB
=6V
V
CES
=16V
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 2A ，我
B
=50mA*
I
C
= 3A ，我
B
=100mA*
I
C
= 4.5A ，我
B
=125mA*
I
C
= 4.5A ，我
B
=125mA*
I
C
= 4.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 0.2A ，V
CE
=2V*
I
C
= 2A ，V
CE
=2V*
I
C
= 6A ，V
CE
=2V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
=3A
I
B1
=I
B2
=10mA
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第2期 - 2002年6月
4
