ZXTN2040F
电气特性（ @T
AMB
= 25°C)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
静态正向电流传输
比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
300
300
200
35
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE （ SAT ）
0.2
0.3
0.5
基射极饱和电压
基射极导通电压
跃迁频率
输出电容
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
敖包
150
10
pF
1.1
1.0
V
V
V
V
V
900
分钟。
40
40
5
100
100
100
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
条件
I
C
=100 A
I
C
=10mA
*
I
E
=100 A
V
CE
=30V
V
CB
=30V
V
EB
=4V
I
C
= 1mA时， V
CE
=5V
*
I
C
= 500毫安，V
CE
=5V
*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V
*
I
C
= 2A ，V
CE
=5V
*
I
C
= 100mA时我
B
=1mA
*
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
*
I
C
= 1A ，我
B
=100mA
*
I
C
= 1A ，我
B
=100mA
*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V
*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
注意事项：
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300 S.占空比
辣妹参数数据可应要求提供此设备
2%
第2期 - 2005年8月
捷特科股份有限公司2005
3
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