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NSS40500UW3T2G
40 V ， 6.0 A，低V
CE （ SAT ）
PNP晶体管
安森美半导体的电子商务
2
的PowerEdge系列低V的
CE （ SAT ）
晶体管是微型表面贴装器件具有超低
饱和电压（V
CE （ SAT ）
）和高电流增益的能力。这些
被设计为在低电压，高速开关应用中使用
其中，经济实惠的高效节能控制是非常重要的。
典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理
在便携式及电池供电的产品，例如蜂窝和无绳
电话，PDA，计算机，打印机，数码相机和MP3播放器。
其它的应用是在大容量存储的低电压电机控制
产品，如光盘驱动器和磁带驱动器。在汽车
行业，他们可以在气囊展开，并在乐器上使用
集群。高电流增益允许ê
2
的PowerEdge设备是
直接从PMU的控制输出，线性增益驱动
（测试版） ，使它们非常适合组件的模拟放大器。
这是一个Pb - Free设备
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
集电极电流
PEAK
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
ESD
最大
40
40
7.0
5.0
6.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
A
1
3
2
http://onsemi.com
40
伏
6.0安培
PNP低V
CE （ SAT ）
晶体管
等效
DS （ ON）
65毫瓦
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
WDFN3
CASE 506AU
标记图
VA M
G
1
VA =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
HBM 3B类
MM C级
热特性
特征
器件总功耗，T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗，T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
结到铅＃ 1
器件总功耗
（单脉冲< 10秒）
结存储
温度范围
符号
P
D
（注1 ）
R
qJA
（注1 ）
P
D
（注2 ）
R
qJA
（注2 ）
R
qJL
（注2 ）
P
Dsingle
（注2和3 ）
T
J
, T
英镑
最大
875
7.0
143
1.5
11.8
85
23
3.0
55
to
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
W
°C
订购信息
设备
NSS40500UW3T2G
包
WDFN3
（无铅）
航运
3000/
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @ 100毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
2. FR-4 @ 500毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
3.热响应。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
2007年3月，
第1版
1
出版订单号：
NSS40500UW3/D
