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bq2010
阈值电压
在监控V一起
SR
为充电/放电
电流时， bq2010监视单电池
通过SB销势。的单电池电压
电势通过电阻器/分离器网络确定
根据下面的方程工作：
RB
1
=
N
1
RB
2
其中，N是细胞数，RB
1
被连接到
正极电池端子，且RB
2
被连接到
蓄电池负极端子。单节电池电压
年龄被监测放电终止电压（ EDV）
和为最大电池电压（MCV） 。 EDV门槛
水平被用于确定当该电池具有
达到了一个“空”状态，并且MCV阈值用于
用于故障检测的充电期间。
两个EDV阈值的bq2010固定为：
V
EDV1
（预警） = 1.05V
V
EDVF
（空） = 0.95V
如果V
SB
或者是两者的EDV阈值，则AS-下面
sociated标志被锁定并保持锁定， indepen-
V的凹痕
S B
，直到下一个有效电荷。 EDV
监测可能在一定条件下为来禁止
在接下来的段落中描述。
在放电和充电时， bq2010监视V
SR
各种阈值。这些阈值被用来
补偿的充电和放电速率。参阅
计数的细节补偿部分。 EDV监控
如果V被禁用
SR
≤
-250mV典型的简历
1 2
第二
经过V
SR
> -250mV 。
6x
7x
8x
9x
Ax
Bx
Cx
20C到30C
30℃至40℃的
40 ℃至50 ℃的
50℃至60℃的
60℃至70 ℃的
70 ℃至80 ℃的
> 80℃
电量显示翻译。的温度范围是
可在超过10℃的增量串行端口
如下图所示：
TMPGG （十六进制）
0x
1x
2x
3x
4x
5x
温度范围
< -30℃
-30℃ -20℃
-20℃至-10 ℃的
-10℃至0℃下
0 ℃至10 ℃的
10 ℃至20 ℃的
空输出
空输出切换到高阻抗时
V
SB
＆ LT ; V
EDVF
并保持锁定，直到一个有效的费用
发生。该bq2010还监视V
SB
相对于V
MCV
,
2.25V. V
SB
从上面的V下降
MCV
重置设备。
布局的注意事项
该bq2010测量之间的电压差
将SR和V
SS
销。 V
OS
在SR（偏移电压
针）有很大的影响的PC板布局。为了获得最佳的
结果， PC板布局应遵循严格的规则
的单点接地回路。分享高电流
地面用小信号接地不良的原因
噪音小信号节点上。另外：
n
RESET
该bq2010承认一个有效的，只要电池V
SB
is
大于0.1V的典型。 V
SB
从下面0.25V上升
或从上面掉落2.25V复位设备。可复位
也可通过一命令通过串行
在复位寄存器部分中所述的端口。
温度
n
电容器（ SB和V
CC
）应尽可能
尽可能地接近在SB和V
CC
销，分别
和它们的路径，以V
SS
应尽可能地短。
0.1μF的高品质陶瓷电容
推荐V
CC
.
该检测电阻电容应尽量靠近
尽可能地将SR引脚。
检流电阻（R
SNS
）应尽可能靠近
可以将bq2010 。
该bq2010内部确定的温度
从-35 ° C至+ 85°C为中心的10 ℃的步骤。该温度
TURE的步骤是用来适应的充电和放电速率
补偿，自放电计数，并提供
n
4
