SSM3J304T
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型
SSM3J304T
○
电源管理开关应用
○
高速开关应用
1.8 V驱动器
低导通电阻：
R
on
= 297毫欧（最大值） （ @V
GS
= -1.8 V)
R
on
= 168毫欧（最大值） （ @V
GS
= -2.5 V)
R
on
= 127毫欧（最大值） （ @V
GS
= -4.0 V)
单位：mm
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
储存温度
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
（注1 ）
T
ch
T
英镑
等级
-20
±
8
-2.3
-4.6
700
150
55~150
单位
V
V
A
mW
°C
°C
注意：
重负载下连续使用（例如应用
高温/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）。
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3S1A
重量： 10毫克（典型值）。
注1 ：安装在FR4板
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨， Cu焊盘： 645毫米）
电气特性
（大
=
25°C)
特征
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
I
DSS
I
GSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
V
DSF
V
DD
=
-10 V，I
D
=
-1A,
V
GS
=
0 -2.5 V ，R
G
=
4.7
Ω
I
D
=
2.3 A，V
GS
=
0
（注2 ）
开启时间
打开-O FF时间
V
DS
=
-10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
测试条件
I
D
=
-1毫安，V
GS
=
0
I
D
=
-1毫安，V
GS
= +8
V
V
DS
=
-20 V, V
GS
=
0
V
GS
= ±8
V, V
DS
=
0
V
DS
=
-3 V，I
D
=
-1毫安
V
DS
=
-3 V，I
D
=
-1 A
I
D
=
-1.0 A，V
GS
=
-4 V
漏源导通电阻
I
D
=
-0.5 A，V
GS
=
-2.5 V
I
D
=
-0.2 A，V
GS
=
-1.8 V
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关时间
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
民
-20
-12
-0.3
2.4
典型值。
4
88
120
172
335
70
56
20
20
0.85
最大
-10
±1
-1.0
127
168
297
1.2
ns
V
pF
mΩ
单位
V
μA
μA
V
S
漏源正向电压
注2 ：脉冲测试
1
2007-11-01
