初步
Am42DL32x4G
堆叠式多芯片封装（ MCP ）闪存和SRAM
32兆位（ 4米×8位/ 2的M× 16位） CMOS 3.0伏只，同时操作闪存
内存和4兆位（ 256千×16位），静态RAM
特色鲜明
MCP特点
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2.7至3.3伏的电源电压
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高性能
- 闪存存取时间快70纳秒
- SRAM存取时间快55纳秒
软件特点
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数据管理软件（ DMS ）
- AMD公司提供的软件管理数据编程
擦除，使EEPROM仿真
- 简化扇区擦除限制
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包
- 73球FBGA
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支持通用闪存接口（ CFI ）
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擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，允许在相同的编程
银行
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工作温度
= -40 ° C至+ 85°C
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数据＃查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
FLASH内存功能
架构优势
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同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行，而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
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解锁绕道程序命令
- 发出多个时，降低了总体规划的时间
程序的命令序列
硬件特性
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任何部门的结合可以被删除
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就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
- 硬件检测方法编程或擦除周期
竣工
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安全硅（ SecSi ）部门：额外的256字节扇区
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工厂锁定和识别：
适用于16字节
安全的，随机的工厂电子序列号;可验证
作为工厂通过锁定功能自动选择。
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客户可锁定：
部门是一次性可编程的。一旦
锁定时，数据不能被改变
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硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件重置内部状态机的方法
读阵列数据
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零功耗工作
- 先进的电源管理电路降低功耗
在非活动期间消耗几乎为零
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WP ＃ / ACC输入引脚
- 写保护（ WP ＃ ）功能可保护两个最外侧
引导扇区，无论部门保护状态
- 加速度（ ACC ）功能，加快项目进度
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顶部或底部启动块
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在0.17微米制程技术制造的
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兼容JEDEC标准
- 引脚和软件与单电源兼容
闪存标准
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扇区保护
- 硬件锁定的扇区的方法，无论是在系统或
使用编程设备，以防止任何程序或
该部门内的擦除操作
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
性能特点
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高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间： 4微秒/字典型的利用加速功能
SRAM特点
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功耗
- 操作：22 mA（最大值）为70纳秒，有30 mA（最大值）的
55纳秒
- 待机： 10 μA最大
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超低功耗（典型值）
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
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每个扇区保证至少1百万次写周期
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20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
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CE1S ＃和CE2s片选
使用CE1S ＃和CE2s关机功能
数据保持电源电压： 1.5 3.3伏
字节的数据控制： LB ＃ S（ DQ7 - DQ0 ） ， UB ＃ S（ DQ15 - DQ8 ）
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。
出版＃
25822
启：
B
Amendment/0
发行日期：
2003年5月19日
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
