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M470L1714BT0
DDR SDRAM SPEC项目和测试条件
200PIN DDR SDRAM SODIMM
推荐工作条件，除非另有说明，T
A
= 0至70
°C
)
条件
工作电流 - 一家银行主动预充电;
的tRC = tRCmin ; TCK = 100Mhz的为DDR200 ， 133Mhz的为DDR266A & DDR266B ;
DQ ， DM和DQS输入每个时钟周期改变的两倍;
地址和控制输入，每个时钟周期改变一次
工作电流 - 一家银行的操作;
一家银行开放， BL = 4 ，读
- 请参阅以下页面进行详细的测试条件
Percharge掉电待机电流;
所有银行闲置;电源 - 省电模式;
CKE = <VIL （最大值） ; TCK = 100Mhz的为DDR200 ， 133Mhz的为DDR266A & DDR266B ;
VIN = VREF为DQ ， DQS和DM
预充电浮动待机电流;
CS ＃ > = VIH （MIN） ;所有的银行闲置;
CKE > = VIH （MIN） ; TCK = 100Mhz的为DDR200 ， 133Mhz的为DDR266A & DDR266B ;
地址和其他控制输入，每个时钟周期改变一次;
VIN = VREF为DQ ， DQS和DM
预充电安静的待机电流;
CS ＃ > = VIH （MIN） ;所有银行闲置;
CKE > = VIH （MIN） ; TCK = 100Mhz的为DDR200 ， 133Mhz的为DDR266A & DDR266B ;
地址和其它控制输入稳定，保持> = VIH （MIN）或= <VIL （最大值） ;
VIN = VREF为DQ ， DQS和DM
有功功率 - 下待机电流;
一家银行主动;掉电模式;
CKE = < VIL （最大值） ; TCK = 100Mhz的为DDR200 ， 133Mhz的为DDR266A & DDR266B ;
VIN = VREF为DQ ， DQS和DM
当前待机电流;
CS ＃ > = VIH （MIN） ; CKE> = VIH （MIN） ;
一家银行主动;主动 - 预充电;的tRC = tRASmax ; TCK = 100Mhz的为DDR200 ，
133MHz的的DDR266A & DDR266B ; DQ ， DQS和DM输入两次转变
每个时钟周期;地址和其它控制输入一次改变
在每个时钟周期
工作电流 - 突发读取;
突发长度= 2 ;读取; continguous爆裂;
一家银行主动;地址和控制输入，每个时钟周期改变一次;
CL = 2 ，在TCK = 100Mhz的为DDR200 ， CL = 2 ，在TCK = 133Mhz的为DDR266A ， CL = 2.5的TCK =
133MHz的的DDR266B ; 50 ％的数据在每一个突发的变化;糊涂人= 0为m的
工作电流 - 突发写入;
突发长度= 2 ;写;连拍;
一家银行主动的地址和控制输入每个时钟周期改变一次;
CL = 2 ，在TCK = 100Mhz的为DDR200 ， CL = 2 ，在TCK = 133Mhz的为DDR266A ，
CL = 2.5的TCK = 133Mhz的为DDR266B ; DQ ， DM和DQS输入两次转变
每个时钟周期，输入数据的50％变化在每一个突发
自动刷新电流;
的tRC = tRFC （分钟） - 8 * TCK的DDR200在100MHz ，
10 * TCK的DDR266A & DDR266B在133Mhz的;分布式刷新
自刷新电流;
CKE = < 0.2V ;外部时钟应该是;
TCK = 100Mhz的为DDR200 ， 133Mhz的为DDR266A & DDR266B
Orerating电流 - 四大银行的操作;
四大银行， BL = 4的交织
- 参照下页的详细的测试条件
典型案例： VDD = 2.5V ， T = 25 '
C
最糟糕的情况： VDD = 2.7V ， T = 10 '
C
符号
IDD0
-
典型
-
最差
IDD1
IDD2P
-
-
-
-
IDD2F
-
-
IDD2Q
-
-
IDD3P
-
-
IDD3N
-
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IDD4R
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IDD4W
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IDD5
IDD6
IDD7A
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修订版0.1月。 2001年
