MIC5190
在V
IN
（分钟）至V
OUT
率和电流将确定
最大R
DSON
所需。例如，对于一个1.8V （±5％ ），以
在负载电流5A 1.5V的转换，电压差可以
计算方法如下（使用V
IN
（分钟）） ：
R
DSON
=
R
DSON
=
R
DSON
包
TSOP-6
TSSOP-8
TSSOP-8
PowerPAK1212-8
SO-8
的PowerPAK SO- 8 D-包
的TO-220 / TO-263 （四
2
包）
麦克雷尔
功耗
<850mW
<950mW
<1W
<1.1W
<1.125W
<1.4W
>1.4W
(
V
IN
V
OUT
I
OUT
)
(
1
.
71V
1
.
5V
)
5A
=
42m
在辍学运行N沟道将严重影响转录
过性反应和PSRR （电源纹波抑制比） 。为
为此，我们要选择一个MOSFET具有较低的比
42mΩ我们的示例应用程序。
规模是另一个重要的考虑因素。最重要的是，
的设计必须能够处理功率的存在的量
消退。
功率耗散的量可以计算如下
（用V
IN
（最大值） ） ：
P
D
= (V
IN
– V
OUT
)
×
I
OUT
P
D
= (1.89V – 1.5V)
×
5A
P
D
= 1.95W
现在我们知道权力，我们将散热量，
我们需要知道的最大的环境空气温度。
对于我们的例子中，我们要承担最大65℃
环境温度。不同的MOSFET有不同
最高工作结温。大多数的MOSFET
额定电压为150℃ ，而其他被评为高达175 ℃。
在这种情况下，我们要限制我们的最大结
温至125 ℃。该MIC5190具有内部没有热
保护为MOSFET ，因此，重要的是设计
提供保证金的最高结温。我们的
设计将维持优于125 ° C的结温
与电力消耗1.95W处的环境温度下
65℃。我们的热阻计算如下：
T
J
最大
T
J
环境
表1.功耗和
套餐推荐
在我们的例子中，我们的功耗大于
1.4W ，所以我们会选择一个TO-263 （D
2
包） N沟道
MOSFET。
θ
JA
按如下方法计算。
哪里
θ
JC
是结到外壳热阻，
θ
CS
为
壳到水槽电阻和
θ
SA
是汇到环境
空气阻力。
在D
2
包我们已经选择了
θ
JC
为2 ° C / W 。该
θ
CS
假设我们正在使用的印刷电路板作为散热片，能
近似为0.2 ℃/ W的这使我们能够计算
最低
θ
SA
:
θ
SA
=
θ
JA
–
θ
CS
–
θ
JC
θ
JA
=
θ
JC
+
θ
CS
+
θ
SA
θ
SA
= 31 ° C / W - 0.2 ° C / W - 2 ° C / W
θ
SA
= 28.8 ° C / W
指
应用提示17 ，在设计PCB热
洗涤盆
铜面积为D中的最低金额
2
PACK
在28.8 ° C / W是2750毫米
2
（或0.426in
2
） 。中的实线
只表示对流加热（ 2盎司铜）和
虚线示出了热敏电阻与250LFM空气
流动。铜区域可以通过显著降低
增加气流或通过添加外部散热器。
PC板散热器
热电阻与面积
θ
JA
=
θ
JA
θ
JA
( ) (
)
P
D
125
°
C
65
°
C
=
1.95W
=
31
°
C
/
W
因此，我们的包都必须有一个热敏电阻小于
31 ° C / W 。表1示出了电源的良好近似
功耗和封装的建议。
图8. PC板散热器
另一个重要的特征是栅极的量
电容。大栅极电容可以减少转录
过性的性能通过降低MIC5190的能力
以杀门。因此建议在MOSFET
采用了一个输入电容<10nF （C
国际空间站
).
2005年12月
9
M9999-120105
