飞利浦半导体
PDTD123T系列
NPN 500毫安电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧， R2 =开放
10
3
006aaa447
10
1
006aaa448
h
FE
(1)
(2)
V
CESAT
(V)
(3)
(1)
(2)
(3)
10
2
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
10
2
10
1
1
10
I
C
（MA ）
10
2
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
图1.直流电流增益集电极的函数
电流;典型值
图2.集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值
9397 750 15214
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
牧师02 - 2005年7月21日
5 10
