飞利浦半导体
PDTD113E系列
NPN 500毫安电阻配备晶体管; R 1 = 1千欧，R2 = 1kΩ的
10
3
h
FE
10
2
006aaa310
10
1
(1)
006aaa311
(1)
(2)
(3)
V
CESAT
(V)
(2)
(3)
10
1
10
1
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
10
2
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
图1.直流电流增益集电极的函数
电流;典型值
10
006aaa312
图2.集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值
10
006aaa313
V
我（上）
(V)
(1)
V
我（关闭）
(V)
(1)
1
(2)
(3)
1
(2)
(3)
10
1
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
10
1
10
1
1
I
C
（MA ）
10
V
CE
= 0.3 V
(1) T
AMB
=
40 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
=
40 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
图3.通态输入电压为收藏家的函数
电流;典型值
图4.断态输入电压为收藏家的函数
电流;典型值
9397 750 14579
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
版本01 - 2005年4月14日
5 10
