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LHF32FB7
9
表5.总线操作
(1, 2)
模式
读阵列
输出禁用
待机
RESET
读取识别
代码/ OTP
阅读查询
写
3
6
笔记
6
RST ＃
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
CE＃
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
IL
OE ＃
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
V
IH
WE＃
V
IH
V
IH
X
X
V
IH
V
IH
V
IL
地址
X
X
X
X
SEE
表3和
表4
SEE
附录
X
V
PP
X
X
X
X
X
DQ
0-15
D
OUT
高Z
高Z
高Z
SEE
表3和
表4
SEE
附录
D
IN
RY / BY ＃
(8)
X
X
X
高Z
X
6,7
4,5,6
X
X
X
X
注意事项：
1.参考直流特性。当V
PP
≤V
PPLK
，存储器的内容可以被读取，但是不能被改变。
2. X可以是V
IL
或V
IH
用于控制管脚和地址，和V
PPLK
或V
PPH1/2
对于V
PP
。见DC特性V
PPLK
和V
PPH1/2
电压。
3. RST ＃在GND ± 0.2V保证了最低的功耗。
4.命令将涉及到块擦除，整片擦除， （页面缓存）程序或OTP程序可靠地执行
当V
PP
=V
PPH1/2
和V
CC
=2.7V-3.6V.
5.请参考表6有效D
IN
在写操作。
6.不要抱OE ＃低， WE＃低在相同的时间。
7.请参考LH28F320BF系列附录有关查询代码的更多信息。
8. RY / BY ＃为V
OL
当WSM （写状态机）在执行内部块擦除，整片擦除，
（页面缓存）程序或OTP程序算法。这是当WSM不忙时高阻，在
块擦除暂停模式（程序和网页缓存程序无效） ， （页面缓冲）计划暂停
模式，或复位模式。
修订版2.44
