SPICE模型： MMBTA63 MMBTA64
Pb
LEAD -FREE
MMBTA63 / MMBTA64
PNP表面贴装达林顿晶体管
特点
·
·
·
·
·
外延平面片建设
可提供互补NPN类型
（ MMBTA13 / MMBTA14 ）
非常适用于低功率放大和开关
高电流增益
无铅/ RoHS兼容的版本（注3 ）
B
顶视图
SOT-23
A
C
B
E
D
G
H
K
J
D
L
M
C
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
a
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
机械数据
·
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·
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·
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。终端连接：见图
MMBTA63标记（见第3页） ： K2E ， K3E
MMBTA64标记（见第3页） ： K3E
订购&日期代码信息：见第3页
重量： 0.008克（近似值）
E
C
尺寸：mm
B
E
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
-30
-30
-10
-500
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
连续集电极电流 - （注1）
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
操作和储存和温度范围内
电气特性
特征
开关特性（注2 ）
集电极 - 发射极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征（注2 ）
直流电流增益
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
EBO
MMBTA63
MMBTA64
MMBTA63
MMBTA64
民
-30
5,000
10,000
10,000
20,000
最大
-100
-100
单位
V
nA
nA
测试条件
I
C
= -100mA V
BE
= 0V
V
CB
= -30V ，我
E
= 0
V
EB
= -10V ，我
C
= 0
I
C
= -10mA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -10mA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -100mA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -100mA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -100mA ，我
B
= -100mA
I
C
= -100mA ，V
CE
= -5.0V
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA ，
F = 100MHz的
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
-1.5
-2.0
V
V
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
小信号特性
电流增益带宽积
注意事项：
f
T
125
兆赫
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，
它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
3.没有故意添加铅。
DS30055启示录7 - 2
1第3
www.diodes.com
MMBTA63 / MMBTA64
Diodes公司
