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PTV12020W/L
SLTS231A - 2004年11月 - 修订2005年2月
www.ti.com
电气特性
在25 ℃的自由空气的温度,V操作
I
= 12 V, V
O
= 1.8 V , C1 = 560 μF , C2 = 22 μF , C3 = 0 μF ,我
O
= I
O
最大(除非
另有说明)
参数
I
O
V
I
输出电流
输入电压范围
设定点电压容差
温度变化
V
O
线路调整
负载调整率
总输出变化
调整范围
-40°C <T
A
& LT ; 85°C
在V
I
范围
在我
O
范围
包括设定点,线,负载, -40°C
T
A
85°C
在V
I
范围
R
SET
= 130
,
V
O
= 1.8 V
R
SET
= 3.57千欧,V
O
= 1.5 V
η
效率
I
O
= I
O
最大
R
SET
= 12.1 kΩ的,V
O
= 1.2 V
R
SET
= 32.4 kΩ的,V
O
= 1 V
R
SET
=开建。 ,V
O
= 0.8 V
输出电压纹波(峰峰值)
I
O
( TRIP )
过流阈值
20 - MHz带宽
复位,随后自动恢复
1-A /μs的加载步骤, 50100%我
O
最大, C3 = 330 μF
瞬态响应
恢复时间
V
o
过冲/下冲
轨道控制(引脚9 )
I
IL
输入低电平电流
控制摆率限制
V
IH
输入高电压
禁止控制(引脚12)
V
IL
输入低电压
I
IL
输入低电平电流
I
I
( STBY )
UVLO
S
输入待机电流
欠压锁定
开关频率
外部输入电容
V
I
增加
V
I
减少
在V
I
O
范围
Nonceramic (C1)的
陶瓷(C2)的
电容值
等效串联电阻( nonceramic )
MTBF
可靠性
按照Telcordia SR- 332 , 50 %的压力,T
A
= 40℃,地面良性
Nonceramic
陶瓷的
4
8.8
200
560
22
(4)
(4)
测试条件
自然对流气流
在我
O
负载范围
PTV12020L
0
10.8
±0.5%
±10
±12
±3
0.8
87%
85%
83%
80%
77%
2
30
(2)
典型值
最大
16
±2%
(1)
单位
A
V
13.2
(2)
mV
mV
%V
o
V
1.8
%V
O
A
70
100
–0.13
1
2
–0.2
–0.24
10
9.5
9
250
300
10.4
开放
(3)
s
mV
mA
V / ms的
V
mA
mA
V
千赫
F
连接到GND
C3
C 3 (最大)
参考GND
连接到GND
0.6
抑制(引脚12)到GND ,田径( 9脚)开
0
0
(7)
330
(5)
6,600
(6)
外部输出电容( C3)的
300
F
m
10
6
HRS
4.9
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
安全工作区(SOA )见热降额曲线,或向厂家咨询适当的降额。
设定点的电压容差的影响R的耐受性和稳定性
SET
。规定的限制,如果R被无条件地满足
SET
公差为1% ,以100ppm / ℃或更好的温度稳定性。
此控制端子被上拉至一个内部电源电压。以避免对模块损坏的风险,
施加外部电压
大于7伏。如果这个输入被保持开路,则模块工作时的输入功率被施加。一个小的低漏电( <100 NA)
MOSFET被推荐的控制。欲了解更多信息,请参阅相关的应用笔记。
一个22 μF的高频陶瓷电容和560 μF电解电容输入所需的正常运行。电解
电容的额定值必须的最小纹波电流额定值。请参考应用信息的输入电容指导
选择。
不需要用于基本操作的外部输出电容器。加入330 μF分布电容的负载来提高的
瞬态响应。
这是计算的最大值。最小的ESR限制通常导致较低的值。咨询申请的情报
进一步的指导。
这是典型的ESR为所有的电解( nonceramic )输出电容。使用MAX- ESR值时,使用7毫欧的最低
来计算。
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