RF2163
针
1
2
功能
GND
在RF
描述
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
RF输入。该输入是交流耦合的，因此外部隔直电容不
如果需要该引脚连接到直流通路。
接口示意图
VCC1
键合线
电感
在RF
BIAS
3
4
BIAS GND2
PWR SEN
地面第二级的偏置电路。为了获得最佳性能，请保持痕迹
见引脚16 。
身体短而立即连接到地平面。
压水堆SEN和PWR REF引脚可以配合使用一个外部
纳尔反馈路径，以提供RF功率控制功能的RF2163 。
功率控制功能是基于采样的RF驱动器到最终
阶段RF2163的。
RF OUT
PWR SEN
PWR REF
BIAS
5
6
7
8
9
10
PWR REF
VREG1
VREG2
BIAS GND1
GND
RF OUT
一样的4脚。
该引脚需要一个稳定的电源，以保持正确的偏置电流。
同销6 。
地面的第一级偏置电路。为了获得最佳性能连接到接地
用10nH到电感器。
相同的引脚1 。
RF输出和偏置输出级。用于输出的电源
晶体管需要被供给到该引脚。这可以通过完成
四分之一波长微带线是射频接地，另一端，或
通过支持所需要的直流电流的RF电感器。
同10脚。
同10脚。
未连接。
见4脚。
见引脚16 。
见引脚16 。
见引脚16 。
RF OUT
BIAS
11
12
13
14
RF OUT
RF OUT
NC
VCC1
见引脚10 。
见引脚10 。
15
16
VCC1
VCC
级间匹配和偏置第一级的输出。连接级间匹配 - 见第2脚。
荷兰国际集团电容吨引脚短的痕迹。连接低频旁路
电容器该引脚与长期跟踪。请参阅评估电路板布局
详细信息。
同14脚。
见第2脚。
电源引脚的偏置电路。外部低频旁路电容
如果没有其他的低频去耦附近itors应连接。
VREG1
BIAS
VREG2
VCC
BIAS
GND1
BIAS
GND2
PKG
BASE
GND
接地连接。包装的背面应连接到
通过一个短的路径接地平面，即，该装置下通孔可以是
所需。
见引脚1和2 。
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