RF2312
绝对最大额定值
参数
输入射频功率
输出负载VSWR
工作环境温度
储存温度
等级
+18
20:1
-40至+85
-40到+150
单位
DBM
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
总体（ 50Ω ）
频带
收益
噪声系数
输入VSWR
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
T = 25℃ ，V
CC
= 9V ，频率= 900 MHz时，
R
C
= 30Ω ， 50Ω系统，P
IN
=-4dBm
3dB带宽
在50MHz至300MHz ， -30至+70°C
从300MHz至1000MHz ， -30至+70°C
为直流阻断相应的值
电容和偏置电感需要
保持这个驻波比预期operat-
：频率范围。
为直流阻断相应的值
电容和偏置电感需要
保持这个驻波比预期operat-
：频率范围。
在100MHz
为500MHz
在900MHz
在100MHz
为500MHz
在900MHz
在100MHz
为500MHz
在900MHz
14.5
DC 2500
15.1
3.8
4.2
1.7:1
4.3
4.8
2:1
兆赫
dB
dB
dB
输出VSWR
1.4:1
2:1
输出IP
3
输出IP
3
输出IP
3
输出P
1dB
输出P
1dB
输出P
1dB
饱和输出功率
饱和输出功率
饱和输出功率
反向隔离
+40
+33
+30
+21
+20
+17
+42
+36
+33
+22
+21
+18.5
+23
+22.5
+20.5
20
114.9
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
° C / W
热
THETA
JC
I
CC
= 100mA时P
DISS
= 0.555W ，T
AMB
=85°C,
T
J
=149°C
没有RF输入/输出
T
AMB
=+85°C
I
CC
= 120毫安，P
DISS
= 0.702W ，T
AMB
=85°C,
T
J
=165°C
没有RF输入/输出
T
AMB
=+85°C
引脚8 ，我
CC
=100mA
引脚8 ，我
CC
=40mA
V
CC
= 9.0V ，R
C
=30Ω
平均无故障时间
THETA
JC
2170
114.05
岁月
° C / W
平均无故障时间
2170
5.5
5.0
100
岁月
V
V
mA
电源
装置的电压（V
D
)
工作电流范围
40
120
3-2
冯C6 051025
