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RF3375
绝对最大额定值
参数
输入射频功率
工作环境温度
储存温度
I
CC
等级
+13
-40至+85
-60到+150
80
单位
DBM
°C
°C
mA
注意! ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态(在这个文件修改时间) 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而,没有
承担因RF Micro Devices公司( "RFMD" )供其使用,也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利,其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件,应用程序推荐
阳离子和规格,恕不事先通知的任何时间。
参数
整体
频带
3dB带宽
收益
分钟。
规范
典型值。
DC到>6000
6
马克斯。
单位
兆赫
GHz的
dB
dB
dB
dB
Freq=500MHz
Freq=1000MHz
Freq=2000MHz
Freq=3000MHz
Freq=4000MHz
Freq=6000MHz
dB
Freq=2000MHz
条件
中T = 25℃ ,我
CC
= 65毫安(见注1 )
12.5
12.5
12.2
12.2
12.0
10.0
13.5
13.5
13.2
13.2
13.0
12.4
4.6
<1.9 : 1
<2.0 : 1
<1.7 : 1
噪声系数
输入VSWR
输出VSWR
输出IP
3
输出P
1dB
反向隔离
+31.0
+28.0
+17.0
+14.5
在50Ω系统中, DC到6000MHz
在50Ω系统中, DC至500MHz
在一个50Ω的系统, 500MHz的到6000MHz
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
° C / W
°C
Freq=1000MHz
Freq=2000MHz
Freq=1000MHz
Freq=2000MHz
Freq=2000MHz
I
CC
= 65毫安,P
DISS
= 313mW 。 (见注3 )
V
针
=4.81V
T
例
=+85°C
T
例
=+85°C
与22Ω偏置电阻, T = + 25
o
C
在8引脚与I
CC
=65mA
在评估板连接器I
CC
=65mA
见注释2 。
+33.9
+30.0
+18.5
+16.0
-18.0
175
139
热
THETA
JC
最大测量结
温度直流偏置有条件
系统蒸发散
平均时间故障
1500
5.18
6.6
65
5.36
7.0
80
岁月
V
V
mA
电源
器件工作电压
工作电流
注1:所有规格和特征数据已经收集到的有关标准的FR - 4评估板。这些评估板不
频率高于2.5GHz的优化。以上2.5GHz的性能可以改善,如果一个高性能的PCB被使用。
注2: RF3375 ,必须在等于或低于80毫安为了实现上面列出的散热性能进行操作。而RF3375可
在较高的偏置电流工作时, 65毫安是推荐的偏压,以确保尽可能高的可靠性和电性能。
注3 :由于工艺变化的各部分之间,电流产生从固定的偏置电压将发生变化。因此,应谨慎
在设计固定电压偏置电路用于保证最坏情况下的偏置电流不超过80毫安超过所有预期运行条件
系统蒸发散。
2 10
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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