FQA9N90_F109 900V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FQA9N90
设备
FQA9N90_F109
包
TO-3PN
T
C
= 25 ° C除非另有说明
带尺寸
--
胶带宽度
--
QUANTITY
30
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 900 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 720 V，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 4.3 A
V
DS
= 50 V，I
D
= 4.3 A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
（注4 ）
民
900
--
--
--
--
--
3.0
--
--
--
--
--
典型值
--
1.0
--
--
--
--
--
1.0
9.2
2100
200
25
最大单位
--
--
10
100
100
-100
5.0
1.3
--
2700
260
33
V
V /°C的
A
A
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
基本特征
动态特性
开关特性
V
DD
= 450 V，I
D
= 8.6A,
R
G
= 25
--
--
--
（注4,5）
45
100
135
80
55
12
26
--
--
--
720
7.6
100
210
280
170
72
--
--
--
--
--
V
DS
= 720 V，I
D
= 8.6A,
V
GS
= 10 V
（注4,5）
--
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 8.6 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 8.6 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
8.6
34.4
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 23mH ，我
AS
= 8.6A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
8.6A ， di / dt的
≤200A/s,
V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
FQA9N90_F109版本A
2
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