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A8438
调节输出电压
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器
该A8438开关关断时间期间检测输出电压。这
允许的电压分压网络中，R 1至R 3 （见图
6） ，以在所述高电压输出二极管的阳极连接，
D 1 ，消除了功率损耗由于反馈网络时
充电完成。的输出电压可以通过调整
选择的分压电阻适当的值。使用
下面的等式来计算的值用于Rx （ Ω ） ：
内部MOSFET开关是闭合的，并且初级端电流
开始斜坡上升。它可以计算为：
.
V
D_峰
=
V
OUT
+
N
×
V
BATT
(5)
整流二极管， ID_Peak的峰值电流，计算
如：
R
1
+
R
2
V
OUT
=
1 .
R
3
V
FB
I
D_峰
=
I
Primary_Peak
/
N
.
输入电容的选择
(6)
(4)
R1和R2一起需要有在一个击穿电压
至少300 V.典型的1206表面贴装电阻器具有150 V
额定击穿电压。建议在R1和R2
具有相似的值，以确保之间偶数的电压应力
他们。推荐值如下：
R1 = R2 = 150千欧（ 1206）
R3 = 1.2 kΩ的（ 0603 ）
它们共同产生的303 V的电压站
对于R1，R2和R3采用较高的电阻值不
提供显著提高效率，因为功耗
反馈网络的主要发生在开关断开时，
而且由于在关断时间是每个充电只有一小部分
周期。
输出二极管的选择
与X5R或X7R电介质的陶瓷电容是recom-
荐为输入电容， C2中。应当额定至少
4.7
μF
/ 6.3 V至解耦电池输入，V
BATT
中，主
变压器。当使用一个单独的偏压，V
BIAS
，对于
A8438 VIN电源，连接至少0.1
μF
/ 6.3 V旁路
电容VIN引脚。
布局指南
关键的照相闪光灯电容充电器电路布置好
是保持最小的电源开关回路的寄生
（变压器初级侧）与整流回路（二次侧） 。
用短而粗的痕迹连接到变压器初级
和SW引脚。
输出电压检测电路元件必须保持远离
交换节点，如SW引脚。确保没有GND
R1和R2的下方平面，因为寄生电容
地上会影响检测精度。重要的是，该
DO
NE
信号跟踪路由远离变压器等
开关的痕迹，以尽量减少噪声。此外，
高电压隔离规则必须认真遵守，以避免
电路板击穿故障。
产品型号
GRM188R71C104KA01D
LMK212BJ475KG
EPH-331ELL101B131S
BAV23S
GSD2004S
9C12063A1503FKHFT
9T06031A1201FBHFT
ST-532517A
LDT565630T-041
DCT5EPL-UxxS002
T-16-103A
T-15-154M
来源
村田
太阳诱电
贵弥功
飞利浦半导体公司，
飞兆半导体
日前，Vishay
YAGEO
YAGEO
Asatech
TDK
TDK
东京圈工程
东京圈工程
选择整流二极管（多个） ， D 1，具有小寄生
电容（短的反向恢复时间） ，同时满足
反向电压与正向电流的要求。
二极管，V的峰值反向电压
D_Peak
，发生在
推荐组件表
部件
等级
C1输入电容
0.1
μF,
±10％ ，16V的X7R陶瓷电容器（ 0603 ）
C2输入电容
4.7
μF,
±10％ ， 10V， X5R陶瓷电容器（ 0805 ）
COUT闪光灯
330 V, 100
μF
（或19 180
μF)
电容
D1 ，输出二极管
2× 250 V 225毫安， 5 pF的
2× 300 V 225毫安， 5 pF的
R1，R2的FB电阻器150千欧，
1
/
4
W ± 1% (1206)
R3 ， FB电阻
1.20 kΩ
1
/
10
W ± 1% (0603)
1:10, L
主
= 10.8
μH,
对于我
LIM
= 1.6或1.8 A
1:10.4, L
主
= 4.7
μH,
对于我
LIM
= 2.0 A
T1，变压器
1:10, L
主
= 8
μH,
对于我
LIM
= 2.0 A
1:10, L
主
= 7.4
μH,
对于我
LIM
= 2.0 A
1:10, L
主
= 14
μH,
对于我
LIM
= 2.0 A
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115东北托夫，箱15036
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