怀特电子设计

8Mx32 5V闪存模块

特点

100访问时间， 120为150ns

包装：

68引线40毫米（ 1.560" ）方形密封CQFP ，

5.2毫米（ 0.205" ）高（ 503包）

部门架构

按每个2Mx8 64K字节的32大小相等的行业

芯片

任何部门的结合可以被删除。还

支持整片擦除。

100,000次写/擦除周期最短

组织为8Mx32

商业，工业和军用温度

范围

5伏的读取和写入。 5V ±10 ％电源。

低功耗CMOS

WF8M32-XG4DX5

高级*

数据＃投票和切换位功能的检测

编程或擦除周期完成。

支持读取或编程数据到一个部门

不被删除。

RESET ＃引脚复位内部状态机的

阅读模式。 （不适用于用在HIP包

WF2M32-XHX5)

内置的去耦电容和多接地引脚

对于低噪音运行，独立电源和

接地层，以提高抗干扰能力。

内置缓冲。

*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须

更改或取消，恕不另行通知。

注：编程信息，请参阅闪存编程16M5应用笔记。

图1 - PIN CONFIGURATIONFOR

WF8M32-XG4DX5

顶视图

NC

A0

A1

A2

A3

A4

A5

CS1#

GND

CS3#

WE＃

A6

A7

A8

A9

A10

VCC

引脚说明

I/O0-31

A0-22

WE

CS1-4

OE

VCC

RESET

GND

NC

数据输入/输出

地址输入

写使能

芯片选择

OUTPUT ENABLE

电源

RESET

地

没有连接

9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

GND

I/O8

I/O9

I/O10

I/O11

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

I/O16

I/O17

I/O18

I/O19

I/O20

I/O21

I/O22

I/O23

GND

I/O24

I/O25

I/O26

I/O27

I/O28

I/O29

I/O30

I/O31

框图

RESET＃

CS1-4#

WE＃

OE ＃

A0-22

1

1

接口

4

1

1

23

4

1

1

23

CS

1#

2M ×8

2M ×8

2M ×8

2M ×8

I / O

0-7

8

32

CS

2#

2M ×8

2M ×8

2M ×8

2M ×8

I / O

8-15

8

CS

3#

2M ×8

2M ×8

2M ×8

2M ×8

I / O

16-23

8

CS

4#

2M ×8

2M ×8

2M ×8

2M ×8

I / O

24-31

8

VCC

A11

A12

A13

A14

A15

A16

CS2#

OE ＃

CS4#

A17

A18

A19

A20

A21

RESET＃

A22

I / O

0-31

CS1 ＃选择I / O0-7 ， CS2 ＃选择I / O8-15 ， CS3 ＃选择I / O16-23 ， CS4 ＃选择I / O24-31

怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。

1999年10月

第3版

1

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