6B273
8位锁存
DMOS功率驱动器
端口说明
号航站楼
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
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19
20
终端名称
明确
功能
当（活动）低电平时，所有锁存器复位，所有输出变为高电平（关闭） 。
CMOS数据输入到锁存器。时选通时，输出再反转数据
输入端（IN
1
= HIGH ， OUT
1
= LOW ） 。
CMOS数据输入到锁存器。时选通时，输出再反转数据
输入端（IN
2
= HIGH ， OUT
2
= LOW ） 。
吸电流，漏极开路DMOS输出。
吸电流，漏极开路DMOS输出。
吸电流，漏极开路DMOS输出。
吸电流，漏极开路DMOS输出。
CMOS数据输入到锁存器。时选通时，输出再反转数据
输入端（IN
3
= HIGH ， OUT
3
= LOW ） 。
CMOS数据输入到锁存器。时选通时，输出再反转数据
输入端（IN
4
= HIGH ， OUT
4
= LOW ） 。
参考端的所有电压测量。
一种CMOS动态输入到所有锁存器。每个数据
x
终端装
到上一个低到高的频闪过渡其相关联的锁存器。
CMOS数据输入到锁存器。时选通时，输出再反转数据
输入端（IN
5
= HIGH ， OUT
5
= LOW ） 。
CMOS数据输入到锁存器。时选通时，输出再反转数据
输入端（IN
6
= HIGH ， OUT
6
= LOW ） 。
吸电流，漏极开路DMOS输出。
吸电流，漏极开路DMOS输出。
吸电流，漏极开路DMOS输出。
吸电流，漏极开路DMOS输出。
CMOS数据输入到锁存器。时选通时，输出再反转数据
输入端（IN
7
= HIGH ， OUT
7
= LOW ） 。
CMOS数据输入到锁存器。时选通时，输出再反转数据
输入端（IN
8
= HIGH ， OUT
8
= LOW ） 。
(V
DD
）逻辑电源电压（通常为5 V） 。
IN
1
IN
2
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
IN
3
IN
4
地
频闪
IN
5
IN
6
OUT
5
OUT
6
OUT
7
OUT
8
IN
7
IN
8
逻辑电源
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
