位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第460页 > A3979SLPTR-T > A3979SLPTR-T PDF资料 > A3979SLPTR-T PDF资料2第9页
A3979
DMOS细分驱动器与翻译
固定关断时间。
内部PWM电流控制税务局局长
cuitry使用一个单稳态定时器来控制的持续时间
使MOSFET保持关闭状态。一拍关断时间，T
关闭
,
通过外部电阻的选择决定的，R
Tx
和
电容，C
Tx
从每个R连接
Cx
计时终端
地面上。在关断时间，在一定范围内的C值的
T
= 470 pF的
1500 pF的和R
T
= 12 kΩ到100 kΩ的近似为：
t
关闭
= R
T
C
T
年龄对VCP ，设备的输出被禁止，直到
故障排除为止。
在接通电源时，和在低Ⅴ的事件
DD
，欠压
锁定（UVLO ）电路将禁用驱动器和复位
翻译到HOME状态。
睡眠模式
(
).
此低电平有效控制输入
睡觉
用于最大限度地降低功耗，当电机
未在使用。它禁用大部分内部电路includ-
荷兰国际集团输出DMOS场效应管，电流调节器和充电
泵。此设置为逻辑高电平使正常运行，
以及投入运行（此时A3979驱动
电机主微位置） 。当使
装置退出休眠模式，以允许所述电荷泵
（栅极驱动） ，以稳定，前issu-提供了1毫秒的延迟
荷兰国际集团在STEP输入了一步指令信号。
RC消隐。
除的固定关断时间
PWM控制电路，环磷酰胺组件设置compara-
器消隐时间。这个功能空白的输出
输出切换时的电流检测比较器
由内部电流控制电路。比较
输出消隐，以防止误过电流检测
由于反向恢复电流的钳位二极管，或至
切换相关的负载的电容瞬变。
空白时间t
空白
可以近似由：
t
空白
= 1400C
T
电荷泵
（ CP1和CP2 ） 。
电荷泵是
用于产生栅极供给大于VBB的
驱动源侧DMOS门。 0.22
μF
陶瓷的
电容应连接CP1和CP2之间的
抽水的目的。另外，用0.22
μF
陶瓷电容器
是必需的VCP和VBB之间，作为一个储存器
操作所述高边DMOS栅极。
操作水槽边DMOS输出。在VREG引脚必须
可以用0.22解耦
μF
电容接地。 V
REG
is
内部监控，并在故障状态的情况下，
该设备的DMOS输出被禁止。
％的快速衰减输入（ PFD ） 。
当STEP
输入信号指挥一个低级的输出电流比
前面的步骤时，它切换输出电流衰减至任
慢，快或混合衰减模式下，根据不同的电压
在PFD的输入电平。如果在PFD输入端的电压为
大于0.6 ×V
DD
，然后慢速衰减模式选择。
如果在PFD输入端的电压小于0.21 ×V
DD
，然后
快速衰减模式选择。混合衰减模式选择
当V
PFD
是这两个层面之间，如上述
下一部分。此端子与去耦
0.1
μF
电容。
混合衰减操作。如果在PFD输入端的电压
0.6 ×V之间
DD
和0.21 ×V
DD
，桥工作
在混合衰减模式，如由步骤顺序确定
（示于图2至图5 ） 。由于触发点到达，
该设备进入快速衰减模式，直到电压
在RCX终端衰减到相同的水平的电压
施加于PFD终端。时，该装置能操作
在快速衰减阿泰近似为：
V
REG
（ VREG ）
.
这种内部产生的电压被用来
使能输入
(
)
.
此低电平有效的输入
启用
使所有的DMOS输出。当设定为逻辑高，
输出被禁止。输入到转换器（ STEP，
DIR， MS1， MS2和），所有保持活跃，独立的
ENABL
输入状态。
t
FD
= R
T
C
T
LN （ 0.6V
DD
/V
PFD
)
这种快速衰减部分后，设备切换到慢
衰减模式为固定关断时间段的其余部分。
关机。
在正常操作期间，在一个事件
故障，比如温度过高（过量牛逼
J
）或欠压
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
www.allegromicro.com
9
