A3211
和
A3212
描述（续）
此装置包括在单个硅芯片上的霍尔电压发生器，
小信号放大器，稳定斩波特性，锁存和MOSFET
输出。先进的BiCMOS处理是用于利用
低电压和低功耗的要求，元件匹配，
极低的输入偏移错误和小型元件几何尺寸。
四种封装类型提供磁性运TI得到优化
微功耗，超灵敏
霍尔效应开关
解决方案对于大多数AP PLI CA系统蒸发散。微型低
表面安装型封装类型
EH
和
EL
（ 0.75和0.50 mm标称高度）是无铅，
LH
是含铅低
简介SMD和
UA
是一个三引脚SIP的通孔安装。
包可以在无铅（Pb）免费版本（后缀，
–T)
同
100 ％雾锡电镀引脚框。 EL包限量发行，
工程样品。
选购指南
产品型号
A3211EEHLT–T
A3211EELLT–T
A3211ELHLT–T
A3212EEHLT–T
A3212EELLT–T
A3212ELHLT–T
A3212EUA–T
A3212LLHLT–T
A3212LUA–T
1
Pb系
无铅
1
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
填料
2
（单位/包）
磁带和卷轴（ 3000 ）
磁带和卷轴（ 3000 ）
磁带和卷轴（ 3000 ）
磁带和卷轴（ 3000 ）
磁带和卷轴（ 3000 ）
磁带和卷轴（ 3000 ）
散装（ 500 ）
磁带和卷轴（ 3000 ）
散装（ 500 ）
包
环境
温度
T
A
(°C)
-40到85
无铅表面贴装
3 - pin表面贴装
无铅表面贴装
3 - pin表面贴装
SIP - 3通孔，直铅
3 - pin表面贴装
SIP - 3通孔，直铅
-40到85
-40至150
变种被淘汰的产品线。引用在此脚注某些变体是在生产中，但已被确定为
不适用于新设计。这种分类表示，出售该设备目前仅限于现有的客户应用程序。该变种
不应该购买的新设计的应用程序，因为过时，在不久的将来很可能。样品将不再可用。状态
修改： 2006年5月1日为A3212EEHLT和A3212EUA ，和2005年10月31日为A3212LLHLT和A3212LUA 。
2
联系快板额外的包装和处理选项。
绝对最大额定值
特征
电源电压
磁通量密度
输出电压OFF
输出电流
工作环境温度
最高结温
储存温度
符号
V
DD
B
V
OUT
I
OUT
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
范围E
范围L
笔记
等级
5
无限
5
1
-40到85
-40至150
165
-65 170
单位
V
G
V
mA
C
C
C
C
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
www.allegromicro.com
2
