FDFMA2P029Z集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
三月
2008
FDFMA2P029Z
集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
-20V ， -3.1A ， 95米：
特点
MOSFET
最大
DS （ ON）
= 95米：在V
GS
= -4.5V ，我
D
= –3.1A
最大
DS （ ON）
= 141米：在V
GS
= -2.5V ，我
D
= –2.5A
HBM ESD保护等级> 2.5kV的（注3 ）
概述
这个装置是专具体来说作为一个单一封装解决方案
对于在蜂窝手机和其他超电池充电开关
便携式应用。它具有极低的导通的MOSFET
态电阻和一个独立连接低正向
电压肖特基二极管允许最小的导通损耗。
这些新产品的2x2封装提供卓越的热
对于它的物理尺寸和性能是非常适合于线性模式
应用程序。
肖特基
V
F
< 0.37V @ 500毫安
低调 - 0.8 mm最大 - 在新包
的MicroFET 2×2毫米
符合RoHS
销1
A
NC
D
A 1
NC 2
D 3
2×2的MicroFET
C
G
S
6 C
5 G
4 S
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
V
RRM
I
O
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续
-Pulsed
功耗
工作和存储结温范围
肖特基重复峰值反向电压
肖特基平均正向电流
（注1A ）
（注1B ）
（注1A ）
参数
评级
–20
±12
–3.1
-6
1.4
0.7
-55到+150
20
2
单位
V
V
A
W
°C
V
A
热特性
R
TJA
R
TJA
R
TJA
R
TJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
（注1D ）
86
173
86
140
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.P29
设备
FDFMA2P029Z
包
2×2的MicroFET
1
带尺寸
7”
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
www.fairchildsemi.com
2008飞兆半导体公司
FDFMA2P029Z Rev.B1
