SC2545
电源管理
应用信息（续）
有时候，满足严格的输入电压纹波
规格可能需要使用较大的输入
电容。在满负荷时，峰 - 峰值输入电压
纹波由于ESR是
'
Y
(65
G
5
HVU
,
R
',
R
＆放大器;
LQ
I
V
的峰 - 峰值输入电压纹波由于电容器
is
'
Y
＆放大器;
|
选择功率MOSFET
主要考虑在选择MOSFET的功率是
耗散， MOSFET的成本，包装等。开关
？？的是MOSFET的损耗和传导损耗
直接相关的总的栅极电荷（三
g
）和信道
导通电阻（R
DS （ ON）
） 。为了判断该性能
的MOSFET ?? s时，总栅极电荷的乘积和
导通电阻作为品质因数（ FOM ） 。
晶体管具有相同的FOM遵循相同的曲线中
网络连接gure 8 。
从这两个表达式，C
IN
可以发现，以满足
输入电压纹波的规范。在多阶段
转换器，信道交织，可以用来减少
纹波。在SC2545的两个降压型通道
操作在彼此180度。如果两个步进
在SC2545向下通道被连接到相同的
输入轨，输入RMS电流将减少。涟漪
交织的抵消效应允许使用
较小的输入电容。
当两个信道与一个共同的输入进行交织，
总的DC输入电流的简单总和
个人直流输入电流。将合并的输入电流
波形取决于占空比和输出电流
波形。假设输出电流纹波
小，以下公式可用于估算
RMS
在输入电容上的纹波电流的值。
让占空比与通道1的输出电流和
通道2为D
1
, D
2
我
o1
, I
o2
上。
若D
1
<0.5和D
2
<0.5 ，然后
,
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|
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,
R
'
,
R
$
8
8t
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平方？ ？
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SQ-
P ????? R 14 V ???? H 18 PRA ??? ???普
图8.图优异的曲线。
越接近曲线的原点，下层是FOM 。
这意味着更低的开关损耗和更低的传导损耗
或两者。它可能很难找到MOSFET的既
低
C
g
低
R
DS （上
。与通常的权衡
R
DS （上
和
C
g
已经作出。
MOSFET的选择还取决于应用程序。在许多
应用程序，无论是开关损耗和传导损耗
占据一个特定的MOSFET 。对于同步降压
转换器具有高输入输出电压比的
高端MOSFET硬开关导通，但非常低
占空比。底部的开关在高占空比进行
但在接近零电压开关。对于这样的应用，
MOSFET的低
C
g
用于顶部开关和
MOSFET与低R
DS （ ON）
用于底部开关。
MOSFET功耗由
由于沟道电阻）的导通损耗
R
DS （ ON）
;
二）的开关损失，由于开关的上升时间
t
r
和秋季
时间
t
f
;和
三）由于栅极电阻栅极损耗
R
G
.
若D
1
>0.5和（D
1
-0.5 ） <
2
<0.5 ，然后
,
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若D
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2005年升特公司
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