位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第496页 > SP6128AEY/TR > SP6128AEY/TR PDF资料 > SP6128AEY/TR PDF资料1第8页
操作：继续
开关。在我
SET
电流具有温度coef-
够的，以努力的一阶相匹配的
所述的R的热特性
DS （ ON）
高的
侧NMOS开关。它假定SP6128A
将被用在紧凑的设计，其中有一个
高量之间的热耦合的
高侧开关和控制器。
连续初创
如今的分布式电源系统需要mul-
tiple电源电压，如核心和I / O的
电压。在许多应用中，存在的要求更新
精神疾病上的最大电压差AL-
在任何时候lowed这些电源之间。这
要求可以在有潜在侵犯
电源启动时，独立电源
在顺序或在不同的转换速率斜升。
作为一种解决方案，系统设计者经常预充电
通过现有的外部电路的电源
启动。不幸的是，在此条件下
许多现有的同步控制器开启
软启动的过程中，低侧MOSFET
的时间长，从而，排出
输出电容器。在放电期间产生
许多问题。一个是显而易见的概率
失去预期的预充电输出LEM
电压。另一个问题是exces-一个积聚
在低端西伯和unchecked电流
MOSFET和电感器。最后，这种不可控
放电电流产生的条件，可以
损坏或者分布式电源或
相当昂贵的“负载”的IC 。
为防止软启动，从放电预
充电输出， SP6128A还内置断开
连续的启动。此操作将禁用低
边MOSFET驱动器GL开始，直到在
无论有生长激素脉冲或内部SSTART
达到VCC- 1V 。这个特性消除了
输出启动过程中，放电路径。中
稳态运行时， GL是全恩
仪型和操作等同于常规
同步降压转换器。
输出驱动器
该SP6128A ，不像一些其他的双极CON-
控制器集成电路，集成与rail-栅极驱动器
至轨摆动，有助于防止误转
由于电容性耦合。驱动级
牧师05年8月19日
由一个高边NMOS ， 4Ω驱动程序， GH ，
一偏低， 4
,
NMOS驱动器， GL ，
用于驱动外部功率MOSFET的优化
在同步降压拓扑结构。输出
驱动程序还提供栅极驱动非重叠
机制，该机制提供了之间的死区时间
GH和GL过渡，以避免潜在的拍摄开启
通过在外部MOSFET的问题。
下图显示了典型波形
用于输出驱动器。
如同所有的同步设计中，必须有
为确保该MOSFET是正确
选择用于非重叠时间，增强栅
“关于”电阻R驱动电压，
DS （ ON）
，反
转移电容的Crss ，输入电压和
最大输出电流。
栅极驱动器测试条件
5V
90 %
下降时间
2V
90 %
2V
上升时间
10 %
生长激素（GL）
10 %
5V
GL（ GH）的
非重叠
V（ BST ）
GH
电压
0V
V（ VCC ）
GL
电压
0V
V（ VCC = VIN）
SWN
电压
~0V
- V（二极管）V
2 * V （ VIN ）
BST
电压
V （ VIN ）
时间
SP6128A低电压同步降压PWM控制器
2005 Sipex的公司
8
