位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第430页 > SP6652EU-L/TR > SP6652EU-L/TR PDF资料 > SP6652EU-L/TR PDF资料1第2页
PV
IN
,S
VIN
...........................................................................-0.3V
至6.0V
P
GND
向S
GND
.....................................................................-0.3V
到0.3V
LX至P
GND
..............................................................
- 0.3V至P
VIN
+0.3V
储存温度
....................................................-65
° C至150℃
工作温度
..................................................
-40 ° C至+ 85°C
这些压力额定值只，设备的功能操作
这些收视率甚至超过上述的操作指示的任何其他节
规格如下系统蒸发散是不是暗示。暴露在绝对
最大额定条件下长时间可能会影响
可靠性。
绝对最大额定值
电气特性
V
IN
UV =
IN
= V
SDN
= 3.6V ，我
O
= 0毫安，T
AMB
= -40 ° C至+ 85°C ，在27°C典型值，除非另有说明。
该
表示哪个应用在整个温度范围内，除非另有说明的规格。
参数
输入工作电压
FB设置电压
FB设置当前
总体FB精度
开关频率
最小导通时间，持续时间
同步跟踪频率
SYNC输入电流
SYNC逻辑阈值低
SYNC逻辑阈值高
PMOS开关电阻
NMOS开关电阻
电感电流限制
1.3
-3
.7
0.4
0.4
.5
0.
0.6
0.6
.7
3
.0
-
0.0
0.3
民
2.85
0.784
-
-4
.
典型值
最大
单位
5.5
0.8
0.0
.4
00
0.816
4
.6
00
.0
0.6
V
V
条件
我的结果
Q
测量在V
IN
= P
VIN
= 5.5V
A
%
兆赫
ns
兆赫
V
FB
= 0.8V
FB = COMP
模式= SD = V
IN
V
FB
= 1.0V, V
COMP
= 0.2V
模式= SD = V
IN
, V
FB
=1.0V
A
V
V
A
高向低过渡
从低到高的转变
I
PMOS
= 200毫安
I
NMOS
= 200毫安
V
FB
= 0.4V ，模式= SD = V
IN
SD = ZeroV
V
IN
= 3.6V ，模式= SD = V
IN
V
IN
= 5.5V ，模式= SD = V
IN
LX漏电流
V
IN
Quiecent电流
A
mA
mA
V
%
3
.55
.7
6
-
0.6
0.0
0.9
.5
700
40
4
5
0
2.85
UVLO欠压锁定阈值，
V
IN
落下
UVLO迟滞
软启动电流
SD
MODE输入电流
SD
MODE输入阈值电压
SD = V
IN
4
A
A
V
V
毫安/
S
SD = V
IN
, V
COMP
= 1V
高向低过渡
从低到高的转变
1.8
斜率补偿
瑞星超温跳闸点
过温迟滞
误差放大器跨导器
°
C
°
C
毫安/ V
May25-07 RevH
SP6652 1A ，高效率，电流模式PWM降压稳压器
2007 Sipex的公司
