SPB10N10L
SIPMOS
功率晶体管
特征
N沟道
增强型
逻辑电平
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
100
154
10.3
P-TO263-3-2
V
A
TYPE
SPB10N10L
包
P-TO263-3-2
订购代码
Q67042-S4164
记号
10N10L
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=100°C
符号
I
D
价值
10.3
8.1
单位
A
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
42.2
60
6
±20
50
-55... +175
55/175/56
mJ
KV / μs的
V
W
°C
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
功耗
T
C
=25°C
I
S
=10.3A,
V
DS
=80V,
di/dt=200A/s,
T
JMAX
=175°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D
=10.3 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
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2005-02-14
m
