晶体管
P
C
- TA
1.2
200
Ta=25C
2SD1211
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
30
10
3
1
Ta=75C
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
25C
–25C
V
CE （ SAT ）
— I
C
I
C
/I
B
=10
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
集电极电流I
C
（MA ）
160
I
B
=1.0mA
0.9mA
0.8
120
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.6
80
0.4
0.5mA
0.4mA
0.2
40
0.3mA
0.2mA
0.1mA
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
12
0.1
0.3
1
3
10
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
600
I
C
/I
B
=10
400
f
T
— I
E
V
CB
=10V
Ta=25C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
500
过渡频率f
T
（兆赫）
1
3
10
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
Ta=–25C
75C
正向电流传输比H
FE
350
300
250
200
150
100
50
400
25C
300
Ta=75C
200
25C
–25C
100
0.1
0.3
1
3
10
0
0.01 0.03
0.1
0.3
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
80
10
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
3
安全操作区（ ASO ）
单脉冲
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
70
60
50
40
30
20
10
0
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
0.001
I
CP
t=10ms
I
C
t=1s
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
