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SS1P3L & SS1P4L
新产品
威世通用半导体
低V
F
高电流密度表面贴装
肖特基势垒整流器器
特点
非常低调 - 1.0mm的典型高度
适合自动放置
低正向压降，低功率损耗
高效率
低热阻
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020C
DO- 220AA （ SMP）的
浸焊260℃ 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
适用于低电压高频率逆变器的使用，自由
续流，直流到直流转换器和极性保护
应用程序。
机械数据
案例：
DO- 220AA （ SMP）的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级， HE3后缀为高
可靠性级（AEC Q101标准）
极性：
色环表示阴极结束
主要额定值及特点
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
E
AS
V
F
T
j
马克斯。
1A
30 V, 40 V
50 A
11.25兆焦耳
0.35 V, 0.38 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大宋衍涛峰值反向电压
最大正向平均整流电流参见图。 1
T
L
= 140 °C
T
L
= 135 °C
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
符号
SS1P3L
13L
30
1.0
1.5
50
11.25
10000
- 55至+ 150
SS1P4L
14L
40
V
A
A
mJ
V / μs的
°C
单位
峰值正向浪涌电流为10ms单半正弦波叠加
在额定负荷
非重复性雪崩能量在我
AS
= 1.5 ， L = 10毫亨，T
J
= 25 °C
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
(1)
额定V最大反向电流
R (1)
典型结电容
测试条件
在我
F
= 1.0 A，T
J
= 25 °C
在我
F
= 1.0 A，T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
在4.0伏，1兆赫
符号
V
F
I
R
C
J
SS1P3L
0.45
0.35
200
20
110
SS1P4L
0.48
0.38
150
15
130
单位
V
A
mA
pF
文档编号88915
07-Feb-06
www.vishay.com
1
