SSM3K309T
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
SSM3K309T
○
电源管理开关应用
○
大电流开关应用
1.8V驱动
低导通电阻，R
on
= 47mΩ （最大值） （ @V
GS
= 1.8V)
: R
on
= 35mΩ （最大值） （ @V
GS
= 2.5V)
: R
on
= 31mΩ （最大值） （ @V
GS
= 4.0V)
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
（注1 ）
T
ch
T
英镑
等级
20
±12
4.7
9.4
700
150
55~150
单位
V
V
A
mW
°C
°C
注意：
重负载下连续使用（例如应用
高温/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障
率等）。
注1 ：安装在FR4板。
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨， Cu焊盘： 645毫米
2
)
JEDEC
JEITA
东芝
重量：
―
―
2-3S1A
10毫克（典型值）。
电气特性
（大
=
25°C)
特征
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
I
DSS
I
GSS
V
th
|Y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
V
DSF
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
I
D
=
1毫安，V
GS
=
0
I
D
=
1毫安，V
GS
=
-12 V
V
DS
=20
V, V
GS
=
0
V
GS
= ±12
V, V
DS
=
0
V
DS
=
3 V，I
D
=
1毫安
V
DS
=
3 V，I
D
=
4.0A
I
D
=
4.0 A，V
GS
=
4.0 V
漏源导通电阻
I
D
=
3.0 A，V
GS
=
2.5 V
I
D
=
1.0 A，V
GS
=
1.8 V
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关时间
(Note2)
(Note2)
(Note2)
(Note2)
民
20
12
0.35
13
(Note2)
典型值。
25
22
25
30
1020
175
160
23
34
-0.85
最大
1
±1
1.0
31
35
47
-1.2
pF
pF
pF
ns
V
mΩ
单位
V
μA
μA
V
S
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
=
10 V，I
D
=
2A
V
GS
=
0 2.5 V ，R
G
=
4.7
Ω
I
D
=
-4.7 A，V
GS
=
0
漏源正向电压
注2 ：脉冲测试
1
2007-11-01
